檢索結果：共33筆資料 檢索策略： "黃柏仁".ccommittee (精準) and cdept.raw="材料科學與工程系"
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本論文使用磁控式濺鍍系統沈積為薄膜生成的主要製程，結合製程技術快速且低氧化溫度之電漿氧化製程，製備本實驗所需之太陽能選擇性吸收膜，並探討其吸收膜之光學性質及結晶結構。第一部份實驗為沈積一層Cu薄膜在…
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本研究聚焦以 α-氮化碳 (Alpha carbon nitride, α-C3N4) 作為介電層，應用於雙極電阻式記憶體 (Bipolar Resistive Random Access …
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本研究透過化學氣相沉積法生成雙層石墨烯，並利用兩種改質方式修飾石墨烯，一種為紫外光臭氧處理，可以提高石墨烯表面含氧官能基，增加氨氣吸附能力及光電子轉移效果，另一種為濺鍍ITO奈米顆粒於表面，適當分布…
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本論文研究的內容分成四個部分。第一個部分是在矽基材上製備鎳金屬觸媒，利用無電解鍍鎳法先在基材上鍍上一層鎳的薄膜，以利使用SLS機制成長矽奈米線。 第二部分為藉由熱退火處理的機制，在高溫爐管中進行熱處…
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本研究利用葡萄糖及尿素作為前驅物，透過水熱法合成石墨烯量子點(GQDs)與摻氮石墨烯量子點(N-GQDs)，經由透析後GQDs與N-GQDs HRTEM圖之平面間距驗證此為石墨烯量子點，其平面間距分…
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本研究分為兩個部分，第一部分是透過磁控式濺鍍系統濺鍍一層銅膜在銅箔上以及含有氧化層之矽基板上，搭配快速升溫化學氣相沉積法製備雙層石墨烯(Bilayer graphene, BLG)，分…
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本研究主要分為三部份，首先以Cu(B)薄膜作為硼摻雜來源，透過快速升溫化學氣相沉積系統(Rapid thermal chemical vapor deposition system, RTCVD)來…
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本研究以積體電路相匹配之Al、TaN作為上、下電極，以取代昂貴之白金(Pt)作為電極，並採用微波電漿氧化或反應式濺鍍製備中間電阻層TaOxNy，製成Al/TaOxNy/TaN、TaN/TaOxNy/…
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本研究利用反應式磁控濺鍍(Magnetron sputtering)系統配合高真空下的熱退火製程，成功製備出含有不同氮、氧濃度之氮氧化矽(SiOxNy)單層薄膜以及氮氧化矽/矽(SiON/Si)之多…
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本研究分為兩個部分，第一部分為使用反應式濺鍍法(Reactive sputtering)沉積摻釩之類鑽碳薄膜(V-DLC)，透過改變工作壓力調整V-DLC薄膜的表面形貌和結構，藉由SEM、R…